время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения

время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения
  1. Anstiegzeit eines Halbleiterdetektors

 

время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения
время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала ППД
Интервал времени, в течение которого импульс заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения изменяется от 10 до 90 % от его максимального значения.
[ГОСТ 18177-81]

Тематики

  • детекторы ионизирующих излучений

Обобщающие термины

  • основные радиометрические параметры полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Синонимы

  • время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала ППД

EN

  • rise time of a semi-conductor detector

DE

  • Anstiegzeit eines Halbleiterdetektors

FR

  • temps de montée d'un détecteur semi-conducteur


Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии. . 2015.


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»